国产碳化硅(SiC)MOSFET模块与进口IGBT模块在相同功率应用场景下价格持平,标志着SiC碳化硅功率半导体技术商业化进程迈入关键阶段碳化硅微粉价格。这一价格拐点的出现将引发产业链、技术路线、市
国产650V碳化硅(SiC)MOSFET在价格显著降低(相同功率应用之下SiCMOSFET器件价格已经低于超结MOSFET和高压GaN器件)的背景下,将对电源行业产生以下变革性影响,相同功率应用之下
金融界2025年2月28日消息,国家知识信息显示,内江绿能芯创电子科技有限公司取得一项名为“一种碳化硅功率放大电路集成模块及功率放大电路”的,授权公告号CN222531666U,申请日期为2024