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防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法:碳化硅微粉磨
引言碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其卓越的物理和化学性能，在功率电子、高频通信、高温环境等领域展现出巨大的应用潜力碳化硅微粉磨。然而，在SiC外延片的制备过程中，磨抛工艺是至关重要的一环，
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磨轮修整方法，对于碳化硅衬底TTV的管控影响:碳化硅微粉磨
在半导体材料加工领域，碳化硅（SiC）因其出的物理和化学特性，如高硬度、高热导率和化学稳定性，正逐渐成为功率电子、高频器件以及高温、高压环境下工作的电子器件的首选材料碳化硅微粉磨。然而，碳化硅衬底的加
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