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防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法:碳化硅微粉磨
引言碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其卓越的物理和化学性能，在功率电子、高频通信、高温环境等领域展现出巨大的应用潜力碳化硅微粉磨。然而，在SiC外延片的制备过程中，磨抛工艺是至关重要的一环，
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引言碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其卓越的物理和化学性能，在功率电子、高频通信、高温环境等领域展现出巨大的应用潜力碳化硅微粉磨。然而，在SiC外延片的制备过程中，磨抛工艺是至关重要的一环，
